Kryształ ZnTe

Półprzewodnikowe kryształy terahercowego gazu i ZnTe charakteryzują się wysokim progiem uszkodzenia lasera i generują wyjątkowo krótkie impulsy THz o wysokiej jakości przy użyciu laserów femtosekundowych o dużej mocy.


  • FOB cena:0,5–9999 USD za sztukę
  • Min. Ilość zamówienia:100 sztuk/sztuk
  • Możliwość zasilania:10000 sztuk / sztuk miesięcznie
  • Formuła struktury:ZnTe
  • Gęstość :5,633 g/cm3
  • Oś kryształu:110
  • Szczegóły produktu

    Parametr techniczny

    Półprzewodnikowe kryształy THz: Kryształy ZnTe (tellurku cynku) o orientacji <110> są wykorzystywane do wytwarzania THz w procesie rektyfikacji optycznej.Prostowanie optyczne to generowanie różnicy częstotliwości w mediach o dużej podatności drugiego rzędu.W przypadku femtosekundowych impulsów laserowych o dużej szerokości pasma składowe częstotliwości oddziałują ze sobą, a ich różnica daje szerokość pasma od 0 do kilku THz.Wykrywanie impulsu THz następuje poprzez detekcję elektrooptyczną w wolnej przestrzeni w innym krysztale ZnTe zorientowanym <110>.Impuls THz i impuls widzialny rozchodzą się kolinearnie w krysztale ZnTe.Impuls THz indukuje dwójłomność w krysztale ZnTe, która jest odczytywana za pomocą widzialnego impulsu spolaryzowanego liniowo.Kiedy zarówno impuls widzialny, jak i impuls THz znajdują się w krysztale w tym samym czasie, widoczna polaryzacja zostanie obrócona przez impuls THz.Stosując płytkę falową λ/4 i polaryzator rozszczepiający wiązkę wraz z zestawem zrównoważonych fotodiod, możliwe jest mapowanie amplitudy impulsu THz poprzez monitorowanie rotacji polaryzacji widzialnego impulsu za kryształem ZnTe przy różnych czasach opóźnienia w stosunku do impulsu THz.Możliwość odczytu pełnego pola elektrycznego, zarówno amplitudy, jak i opóźnienia, jest jedną z atrakcyjnych cech spektroskopii THz w dziedzinie czasu.ZnTe stosuje się również do podłoży elementów optycznych IR i osadzania próżniowego.

    Podstawowe właściwości
    Formuła struktury ZnTe
    Parametry sieci a=6,1034
    Gęstość 110