Kryształy Nd:YAP

Wzór chemiczny:YAlO3:Nd3+

Struktura krystaliczna:D162h

Stała sieci:a=5176, b=5307, c=7355

Współczynnik załamania światła:na=1929, nb=1943, nc=1952

dn/dT:na:9,7x10-6 K-1 na:14,5x10-6 K-1

Gęstość:5,35 g/cm3

Temperatura topnienia:1870°C

Ciepło właściwe:400 J/(kg·K)

Przewodność cieplna:0,11 W/(cm·K)

Rozszerzalność cieplna:9,5 x 10-6 K-1 (oś a) 4,3 x 10-6 K-1 (oś b) 10,8 x 10-6 K-1 (oś c)

Twardość Knoopa:977 (oś)

WhatsApp Wyślij e-mail do nas Pobierz jako plik PDF

Szczegóły produktu

Podstawowe właściwości

Perowskit Nd:YAP AlO3 (YAP) jest dobrze znanym żywicielem laserów na ciele stałym.Anizotropia kryształu YAP ma wiele zalet. Umożliwia niewielkie dostrajanie długości fali poprzez zmianę kierunku wektora fal w krysztale.Ponadto wiązka wyjściowa jest spolaryzowana liniowo.
Zalety kryształów Nd: YAP:
Porównywalna wydajność progowa i nachylenie przy 1079 nm do Nd:YAG przy 1064 nm
Wyższa wydajność przy 1340 nm w porównaniu do Nd:YAG przy 1319 nm
Liniowo spolaryzowana wiązka wyjściowa
Wyższa absorpcja w wodzie i płynach ustrojowych wynosząca 1340 nm w porównaniu do 1319 nm

Wzór chemiczny	YAlO3:Nd3+
Struktura krystaliczna	D162h
Stała sieci	a=5176, b=5307, c=7355
Współczynnik załamania światła	na=1929, nb=1943, nc=1952
dn/dT	na:9,7×10-6 K-1 nc:14,5×10-6 K-1
Gęstość	5,35 g/cm3
Temperatura topnienia	1870°C
Ciepło właściwe	400 J/(kg·K)
Przewodność cieplna	0,11 W/(cm·K)
Rozszerzalność cieplna	9,5 x 10-6 K-1 (oś) 4,3 x 10-6 K-1 (oś b) 10,8 x 10-6 K-1 (oś c)
Twardość Knoopa	977 (oś)

Specyfikacje:

Stężenie domieszki	Nd 0,7-0,9% atm. dla impulsu cwand t 1079nm 0,85~0,95% atm. dla cwat 1340nm Inne stężenia domieszek są dostępne na żądanie.
Orientacja	w promieniu 5°
Rozmiary prętów	Średnica 2 ~ 10 mn Długość 20 ~ 150 mm Na życzenie klientar
Tolerancje wymiarowe	Średnica +0,00/-0,05 mm, długość: ± 0,5 mm
Wykończenie beczki	Szlifowane i polerowane
Równoległość	≤10″
Prostopadłość	≤5′
Płaskość	< λ/10 przy 632,8 nm
Jakość powierzchni	10-5(MIL-0-13830B)
Ścięcie	0,15 ± 0,05 mm
Odbicie powłoki AR	<0,25% (@W64nm)