Przełącznik KD*P EO Q

Napięcie 1/4 fali:3,3 kV

Błąd transmitowanego czoła fali: < 1/8 fali

ICR:>2000:1

Magnetowid:>1500:1

Pojemność:6 pF

Próg obrażeń:> 500 MW/cm2 przy 1064 nm, 10 ns

WhatsApp Wyślij e-mail do nas Pobierz jako plik PDF

Szczegóły produktu

parametry techniczne

Przełącznik EO Q zmienia stan polaryzacji przechodzącego przez niego światła, gdy przyłożone napięcie indukuje zmiany dwójłomności w krysztale elektrooptycznym, takim jak KD*P.W połączeniu z polaryzatorami ogniwa te mogą działać jako przełączniki optyczne lub laserowe przełączniki Q.
Dostarczamy przełączniki EO Q w oparciu o zaawansowaną technologię wytwarzania kryształów i powlekania, możemy zaoferować przełączniki EO Q o różnych długościach fal lasera, które charakteryzują się wysoką transmisją (T> 97%), wysokim progiem uszkodzenia (> 500 W/cm2) i wysokim współczynnikiem ekstynkcji (>1000:1).
Aplikacje:
• Systemy laserowe OEM
• Lasery medyczne/kosmetyczne
• Wszechstronne platformy laserowe badawczo-rozwojowe
• Wojskowe i lotnicze systemy laserowe

Cechy	Korzyści
Jakość CCI – ekonomiczna cena	Wyjątkowa wartość
Najlepsza, bezszczepowa odmiana KD*P	Wysoki współczynnik kontrastu
	Wysoki próg obrażeń
	Niskie napięcie 1/2 fali
Oszczędność miejsca	Idealny do kompaktowych laserów
Otwory ceramiczne	Czysty i wysoce odporny na uszkodzenia
Wysoki współczynnik kontrastu	Wyjątkowe zatrzymanie
Szybkie złącza elektryczne	Wydajna/niezawodna instalacja
Ultrapłaskie kryształy	Doskonała propagacja wiązki